Poola teadlased väidavad, et on avastanud uue meetodi, mille abil saab toota terveid grafeenikihte – seesugune edusamm aitaks grafeeni laboratooriumitest välja otse igapäevaellu.
,,See on oluline samm grafeenipõhiste transistorite tootmise suunas,” sõnas professor Jacek Baranowski Elektroonilise Materjalitehnoloogia Instituudist Varssavis. ,,Uus meetod põhineb epitaksia nimelise tehnika kasutamisel ränikarbiidil gaasilises keskkonnas, mis on rõhu all,” sõnas Baranowski.
Epitaksia on tehnika, mille abil saab soovitud materjalist kasvatada mikromeetrise paksusega ning meekärjelise struktuuriga kihte, kirjutab Physorg.com.
Kuigi juba praegu on grafeenkihtide tootmine võimalik, saab neist suuremaid tekitada ainult metallist alusele. See aga piirab grafeeni elektroonikas kasutamise potentsiaali.
Ilma sellise aluseta saab praeguste meetodite abil valmistada vaid maksimaalselt 25 ruutsentimeetriseid kihte.
Samuti ei saa olemasolevate meetodite abil toota nii homogeenset grafeeni kui seda võimaldab Baranowski töörühma meetod. Just suur homogeensus muudaks grafeeni paremini kasutatavaks kõrgtehnoloogilistes seadmetes.
Teadusartikkel: “Graphene Epitaxy by Chemical Vapor Deposition on SiC“
Leave a Reply