GaN nanojuhtmeid ootab helge tulevik

Optiliselt pumbatav GaN-nanojuhe laser on nähtav helendavana. Tegelik laserkiire valgus on ultravioletne (≈370 nm), jäädes seega inimsilmale nähtamatuks. Laser-nanojuhtme pikkus on ligikaudu 10 mikromeetrit ning selle diameeter ligikaudu 200nm. Metallsondi tippu, mis asub pildi ülaosas, kasutatakse lähedusefekti mõõtmiseks. Pildil on näha ka teised(mittekiirgavad) nanojuhtmed.

Nanojuhtmete ,,mets."

PML-i teadlaste kasvatatud galliumnitriidist nanojuhtmete diameeter võib olla vaid mõni kümnendik mikromeetrit, kuid neil on potentsiaalselt mitmeid rakendusi alates valgusdioodidest ja dioodlaseritest kuni üliväikeste resonaatorite, keemiliste sensorite ja ülitundlike sonditeravikeni. Teadlasterühm kasvatas praktiliselt defektivabad kuusnurksed GaN nanojuhtmed aeglaselt ränisubstraadist. Nende sadestusmeetodiks oli molekulaarne kiirte-epitaksia(molecular beam epitaxy, MBE), mis võimaldab nanojuhtmetel spontaanselt ilma katalüsaatorosakesteta moodustuda.

Loe edasi: “Bright future for gaN nanowires“