{"id":1424,"date":"2010-01-31T19:17:53","date_gmt":"2010-01-31T16:17:53","guid":{"rendered":"http:\/\/www.fyysika.ee\/wordpress\/?p=1424"},"modified":"2010-06-28T14:42:06","modified_gmt":"2010-06-28T11:42:06","slug":"efs-valik-eesti-fuusikute-tegemistest-jaanuar-2010","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.fyysika.ee\/?p=1424","title":{"rendered":"EFS valik Eesti f\u00fc\u00fcsikute tegemistest: jaanuar 2010"},"content":{"rendered":"<p>Kirjastuse Elsevier arvutiv\u00f5rkude, -raudvara ja \u2013arhitektuuri alaseid artikleid publitseerivate teadusajakirjade seas hetkel k\u00f5rgeima impact factor\u2019iga ajakirjas <em>Microelectronic Engineering<\/em> ilmus Indrek J\u00f5gi artikkel, [Microel. Eng. 87(2), 2010, 144-149]<\/p>\n<p style=\"text-align: center;\"><strong>Atomic layer deposition of high capacitance density Ta2O5-ZrO2 based dielectrics for metal-insulator-metal structures<\/strong><br \/>\nIndrek J\u00f5gi, Kaupo Kukli, Mikko Ritala, Markku Leskel\u00e4,<br \/>\nJaan Aariku, Aleks Aidla ja Jun Lu<\/p>\n<p>T\u00f6\u00f6s k\u00e4sitleti v\u00f5rdlevalt erinevatele aatomkihtsadestatud metalloksiididele \u2013 HfO2, Ta2O5, ZrO2, Nb2O5 ja nende segukiledele v\u00f5i kistuktuuridele (nanolaminaatidele) \u2013 ehitatud metall-isolaator-metall (MIM) kondensaatorite dielektrilist k\u00e4itumist. HfO2 kui \u00fcsna k\u00f5rge suhtelise dielektrilise l\u00e4bitavusega (ca. 16-24) isolaatormaterjal on end t\u00f5estanud ja kaasaaegses protsessoritehnoloogias transistoride paisuoksiidina juba kasutusel. v\u00f5ib T\u00e4nap\u00e4eva v\u00e4ljakutseks v\u00f5ib pidada vajadust see oksiid edaspidi asendada v\u00f5i kombineerida teiste, k\u00f5rgema dielektrilise konstandiga (ca. 25-50) materjalidega nii, et t\u00f5useks k\u00fcll keskmine dielektriline l\u00e4bitavus, kuid v\u00e4iksemast keelutsoonist p\u00f5hjustatud lekkevool samas mitte dramaatiliselt. Isolaatormaterjalide kvaliteeti iseloomustav parameetriks on nn. Laengus\u00e4ilitustegur, mis h\u00f5lmab endas teatud kriitilise lekkevoolu v\u00e4\u00e4rtusel m\u00f5\u00f5detud pinge ja mahtuvuse. Varasemad uuringud olid n\u00e4idanud, et paksemate (kuni 100 nm) nanolaminaatide kasutamisel on v\u00f5imalik Ta2O5-ZrO2 laminaatide baasil saavutada HfO2 oluliselt suurem laengus\u00e4ilitustegur. \u00c4sja avaldatud t\u00f6\u00f6 k\u00e4igus sooritatud m\u00f5\u00f5tmised n\u00e4itasid, et \u00f5hemate kilede korral j\u00e4\u00e4b laengus\u00e4ilitustegur suure t\u00f5en\u00e4osusega ja \u00fcldjuhul siiski alla HfO2 poolt kindlustatavatele. Siiski, suhteliselt keeruka koostisega lamineeritud Ta2O5-ZrxNbyOz kihid v\u00f5istlesid edukalt ka HfO2-ga. T\u00f6\u00f6 tulemused osundavad probleemidele uute dielektrikmaterjalide otsingutel ja t\u00f6\u00f6tlusel ning annavad loodetavasti oma panuse \u00fcldisesse teabesse ka arvutim\u00e4ludesse sobivate materjalide evaluatsiooni alal. Vaata ka <a href=\"http:\/\/www.fyysika.ee\/doc\/kuukiri_2010_jaan\/MicroelectronEng2010_87_144.pdf\" target=\"_blank\">artiklit<\/a>.<\/p>\n<div style=\"width: 460px\" class=\"wp-caption aligncenter\"><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" class=\" \" src=\"http:\/\/www.fyysika.ee\/doc\/kuukiri_2010_jaan\/Image2.gif\" alt=\"\" width=\"450\" height=\"144\" \/><p class=\"wp-caption-text\">L\u00e4bilaskvuselektronmikroskoobi kujutis mol\u00fcbdeenelektroodile aatomkihtsadestatud dielektrikkihist (vasakpoolsel paneelil) ja voltfaradkarakteristikud ning dielektrilised kaod (D) m\u00f5\u00f5detuna sarnasest kilest (parempoolsel paneelil). Kilede koostis sadestust\u00fcklite arvu j\u00e4rgi ning m\u00f5\u00f5tesagedused on n\u00e4idatud paneelidel.<\/p><\/div>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Kirjastuse Elsevier arvutiv\u00f5rkude, -raudvara ja \u2013arhitektuuri alaseid artikleid publitseerivate teadusajakirjade seas hetkel k\u00f5rgeima impact factor\u2019iga ajakirjas Microelectronic Engineering ilmus Indrek J\u00f5gi artikkel, [Microel. Eng. 87(2), 2010, 144-149] Atomic layer deposition of high capacitance density Ta2O5-ZrO2 based dielectrics for metal-insulator-metal structures Indrek J\u00f5gi, Kaupo Kukli, Mikko Ritala, Markku Leskel\u00e4, Jaan Aariku, Aleks Aidla ja Jun Lu [&hellip;]<\/p>\n","protected":false},"author":2,"featured_media":0,"comment_status":"open","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_genesis_hide_title":false,"_genesis_hide_breadcrumbs":false,"_genesis_hide_singular_image":false,"_genesis_hide_footer_widgets":false,"_genesis_custom_body_class":"","_genesis_custom_post_class":"","_genesis_layout":"","footnotes":""},"categories":[19,16],"tags":[],"class_list":{"0":"post-1424","1":"post","2":"type-post","3":"status-publish","4":"format-standard","6":"category-teadusuudised-eesti-asi","7":"category-teadusuudis","8":"entry"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.fyysika.ee\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/1424","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.fyysika.ee\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.fyysika.ee\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.fyysika.ee\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/users\/2"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.fyysika.ee\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fcomments&post=1424"}],"version-history":[{"count":0,"href":"https:\/\/www.fyysika.ee\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/1424\/revisions"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.fyysika.ee\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fmedia&parent=1424"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.fyysika.ee\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fcategories&post=1424"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.fyysika.ee\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Ftags&post=1424"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}