{"id":26371,"date":"2012-03-27T15:02:04","date_gmt":"2012-03-27T12:02:04","guid":{"rendered":"http:\/\/www.fyysika.ee\/uudised\/?p=26371"},"modified":"2012-03-27T15:02:04","modified_gmt":"2012-03-27T12:02:04","slug":"edusammud-tunnelvaljatransitoride-tehnoloogias","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.fyysika.ee\/?p=26371","title":{"rendered":"Edusammud tunnelv\u00e4ljatransitoride tehnoloogias"},"content":{"rendered":"

Notre Dame- ja Pennsylvania Osariigi \u00dclikool tegid koost\u00f6\u00f6s edusamme tunnelv\u00e4ljatransistoride TFET (Tunneling Field Effect Transistor) tehnoloogias. Tegemist on pooljuhtseadmetega, mis rakendavad kvantmaailmas tuntud elektronide tunneleerumise fenomeni.<\/strong><\/p>\n

\"\"<\/a>

FET transistor, allikas Wikipedia<\/p><\/div>\n

Transistorid on elektroonikaseadmete aluskivid. Viimase neljak\u00fcmne aasta jooksul toimunud arvutusv\u00f5imsuse kasv tugineb suuresti pooljuhtl\u00fclituste \u00fcha kahanevatele m\u00f5\u00f5tmetele, mis v\u00f5imaldab protsessoritel aja\u00fchikus sooritada aina rohkem protsesse. Praeguse tehnoloogia juures \u00e4hvardab aga v\u00e4iksusele piir vastu tulla.<\/p>\n

Paljud pooljuhttehnoloogiate eksperdid arvavad, et t\u00f6\u00f6stus l\u00e4heneb kiirelt transistoride minimaliseerimise piirimaile. Suureks probleemiks on miljardite l\u00e4hestikku pakitud transistoride v\u00f5imsuskaod soojuslike dissipatsioonide t\u00f5ttu.<\/p>\n

Notre Dame ja Penni osariigi \u00fclikoolides tehtud avastused n\u00e4itavad aga, et elektronide tunneleerumist kasutavad TFET seadmed on suutelised teet\u00f5kke \u00fcletama. TFET j\u00f5udlus on sama, mis kasutuselolevatel transistoridel, ent oluliselt v\u00e4iksema energiakulu juures.<\/p>\n

\u201eTavap\u00e4rane transistor t\u00f6\u00f6tab paljuski nagu j\u00f5es\u00e4ngi seatud tamm, millel on muudetava k\u00f5rgusega pais,\u201c \u00fctleb Notre Dame elektritehnika professor Alan Seabaugh. \u201eVee voolu hulk s\u00f5ltub paisu k\u00f5rgusest. Tunneltransistoridel on uut t\u00fc\u00fcpi pais, millest saab vool lihtsalt l\u00e4bi minna ilma, et peaks t\u00f5kkeid \u00fcletama. Transistori paisu ‘paksust’ saame elektriliselt muuta, tekitades efektiivselt voolul\u00fcliti.\u201c<\/p>\n

\u201eTunneltransistoridel on pikk kommertsajalugu,\u201c lisab Seabaugh. \u201eIlmselt on meist iga \u00fcks hoidnud k\u00e4es USB m\u00e4lupulka, milles on mijlardeid selliseid l\u00fcliteid. Kvantmehaanikast tuntud tunnelleerumine on andmetalletuses juba kasutusel.\u201c<\/p>\n

TFET-idel pole veel kasutuselolevate transistoridega v\u00f5rreldavat energiaefektiivsust, ent selle aasta m\u00e4rtsis avaldatud artiklis selgitatakse, et edusammud TFET-ide t\u00f6\u00f6voolu reguleerimisel on paljulubavad. Edasisi arenguid loodetakse veel selle aasta jooksul.<\/p>\n

\u201eArengud p\u00f5hinevad \u00f5igete pooljuhtmaterjalide kombineerimisel,\u201c lisab Penni Osariigi \u00dclikooli elektritehnika professor Suman Datta. \u201eEdu korral on seadme m\u00f5ju m\u00e4rkimisv\u00e4\u00e4rne, sest v\u00f5imaldab toota v\u00e4ga madala v\u00f5imsustarbega integraall\u00fclitusi. Need omakorda soodustavad isetoiteliste skeemide arengut. N\u00e4iteks v\u00f5ib saada v\u00f5imalikuks aktiivne organismi monitooring, uue p\u00f5lvkonna implataatseadmed ning passiiv-aktiivsed luureseadmed.\u201c<\/p>\n

Tunneltransistoride kasutuselev\u00f5tt ei t\u00e4hendaks olemasoleva tootmispargi vahetamist. Lisaks j\u00e4\u00e4ks samaks enamus integraall\u00fclituste skeemidest. Tegemist on odava ja samas efektiivse lahendusega.<\/p>\n

\u201eTugev \u00fclikoolide poolne t\u00e4helepanu on TFET tehnoloogiat kiiresse arengusse l\u00fckkamas,\u201c \u00fctleb Jeff Welser, NRI (Nanoelectronics Research Initiative) direktor. \u201eT\u00f6\u00f6stus saab aru, et tehnoloogia innovatsioonis on valitsuste ning \u00fclikoolide koost\u00f6\u00f6 v\u00e4ga olulisel kohal,\u201c lisab ta.<\/p>\n

Allikas: PhysOrg<\/a><\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

Notre Dame- ja Pennsylvania Osariigi \u00dclikool tegid koost\u00f6\u00f6s edusamme tunnelv\u00e4ljatransistoride TFET (Tunneling Field Effect Transistor) tehnoloogias. Tegemist on pooljuhtseadmetega, mis rakendavad kvantmaailmas tuntud elektronide tunneleerumise fenomeni. Transistorid on elektroonikaseadmete aluskivid. Viimase neljak\u00fcmne aasta jooksul toimunud arvutusv\u00f5imsuse kasv tugineb suuresti pooljuhtl\u00fclituste \u00fcha kahanevatele m\u00f5\u00f5tmetele, mis v\u00f5imaldab protsessoritel aja\u00fchikus sooritada aina rohkem protsesse. Praeguse tehnoloogia juures \u00e4hvardab […]<\/p>\n","protected":false},"author":449,"featured_media":26372,"comment_status":"open","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_genesis_hide_title":false,"_genesis_hide_breadcrumbs":false,"_genesis_hide_singular_image":false,"_genesis_hide_footer_widgets":false,"_genesis_custom_body_class":"","_genesis_custom_post_class":"","_genesis_layout":"","footnotes":""},"categories":[16],"tags":[137,115],"class_list":{"0":"post-26371","1":"post","2":"type-post","3":"status-publish","4":"format-standard","5":"has-post-thumbnail","7":"category-teadusuudis","8":"tag-kvantnahtused","9":"tag-tehnovidinad","10":"entry"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.fyysika.ee\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/26371","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.fyysika.ee\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.fyysika.ee\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.fyysika.ee\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/users\/449"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.fyysika.ee\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fcomments&post=26371"}],"version-history":[{"count":0,"href":"https:\/\/www.fyysika.ee\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/26371\/revisions"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.fyysika.ee\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/media\/26372"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.fyysika.ee\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fmedia&parent=26371"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.fyysika.ee\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fcategories&post=26371"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.fyysika.ee\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Ftags&post=26371"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}