{"id":26745,"date":"2012-04-15T19:58:32","date_gmt":"2012-04-15T16:58:32","guid":{"rendered":"http:\/\/www.fyysika.ee\/uudised\/?p=26745"},"modified":"2012-04-15T19:58:32","modified_gmt":"2012-04-15T16:58:32","slug":"boornitriidist-dielektrikkiht-tootab-ohemat-elektroonikat","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.fyysika.ee\/?p=26745","title":{"rendered":"Boornitriidist dielektrikkiht t\u00f5otab \u00f5hemat elektroonikat"},"content":{"rendered":"

Tuleviku elektroonikakomponentide ideaaldielektrikuks v\u00f5ib saada \u00fcli\u00f5huke heksagonaalse boorntiriidi (h-BN) kile, t\u00e4nu materjalis toimuva tunnelleerumisefekti homogeensusele. Tulemused esitanud teadlaster\u00fchm uuris materjali k\u00e4itumist t\u00f5kkekihina kahe juhi vahel. Avastati, et tunnelleerumisvool s\u00f5ltub eksponentsiaalselt h-BN kihtide arvust. <\/strong><\/p>\n

\"\"<\/a>

Boornitriid kahe juhi vahele paigutatuna.<\/p><\/div>\n

Sarnaselt grafeenile on v\u00f5imalik boornitriidi aatomkihi paksuseid kilesid valmistada koorimise teel (exfoliation). Boornitriid on tehnoloogia vallas huvipakkuv materjal, sest sellest toodetavad kiled on v\u00e4ga \u00f5hukesed ja defektivabad. Ent vastupidiselt grafeenile on tegemist isolaatoriga.<\/p>\n

\u201cTransistoride suurus on \u00fcha kahanemas, h-BN on taoliste miniatuursete seadmete dielektrikukihi valikul praegu ilmselt parim materjal,\u201d \u00fctleb meeskonnaliige Liam Britnell, kes on muuhulgas kaast\u00f6\u00f6d teinud nobelistide Andre Geimi ning Konstantin Novoseloviga (grafeeni uurijad). Teadust\u00f6\u00f6sse panustasid lisaks Hollandis, Singapuri, Venemaa ja Ameerika teadlased. Britnell arvab, et h-BN ning grafeeni kombineerimisel on v\u00f5imalik arendada t\u00e4iesti uus klass \u00fcli\u00f5hukesi mitmikkihtmaterjale (multilayer materials<\/em>). Soosivaks teguriks on t\u00f5siasi, et grafeenil ning h-BN-il on v\u00e4ga sarnased v\u00f5rekonstandid, ent ometi erinevad elektrilised omadused.<\/p>\n

Teadlased on n\u00e4idanud, et boor-nitriid on suuremate lehtedena heaks grafeenelektroonika substraadiks. Heksagonaalset boornitriidi on v\u00f5imalik kasutada elektronide tunnelleerumise t\u00f5kkekihina kahe grafeenikihi vahel ning vertikaal-tunnelleeruvates grafeentransistorides juhul, kui isolaatorkihi paksus on v\u00e4hemalt kuus aatomkihti. \u201cIsegi \u00f5hukeste h-BN kihtide uurimine on fundamentaaltasandil huvipakkuv tegevus, sest materjali rakendused on elektroonikarakendustes ulatuslikud, seda enam, et selle paksust on v\u00f5imalik aatomkihi t\u00e4psusega modelleerida,\u201d lisab Britnell.<\/p>\n

T\u00f6\u00f6r\u00fchm uuris h-BN elektrilisi omadusi tunnelefekti kasutavate dioodide koostises. Sooritati pinge ja voolu m\u00f5\u00f5tmisi erinevate temperatuuride juures. Tulemused n\u00e4itasid, et ka \u00fcks kith h-BN materjali t\u00f6\u00f6tab efektiivse tunnelleerumisvoolu barj\u00e4\u00e4rina. Vool kahanes funktsioonina isolaatorkihi paksusest. M\u00f5\u00f5tmisi sooritati mitme eri struktuuriga, sealhulgas: kuld\/boornitriid\/kuld, grafeen\/boornitriid\/grafeen ja grafiit\/boornitriid\/grafiit. Boornitriidi kihi paksust varieeriti \u00fchest kuni nelja aatomkihini.<\/p>\n

Brtinell loodab koos kolleegidega leida sobiva kihilise pooljuhtmaterjali, mis \u00fchilduks boornitriidi ning semimetalli grafeeni elektriliste omadustega. \u201cOleks suurep\u00e4rane, kui sellise materjali leiaksime.\u00a0Uute 3D struktuuride leidmisel keskendume grafeeni ja heksagonaalse struktuuriga boornitriidi kombineerimisele alternatiivmaterjalidega. Loodame avastada uut huvitavat f\u00fc\u00fcsikat ning innovaatilisi vise elektroonikaseadmete valmistamiseks,\u201d \u00fctleb Britnell.<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

Tuleviku elektroonikakomponentide ideaaldielektrikuks v\u00f5ib saada \u00fcli\u00f5huke heksagonaalse boorntiriidi (h-BN) kile, t\u00e4nu materjalis toimuva tunnelleerumisefekti homogeensusele. Tulemused esitanud teadlaster\u00fchm uuris materjali k\u00e4itumist t\u00f5kkekihina kahe juhi vahel. Avastati, et tunnelleerumisvool s\u00f5ltub eksponentsiaalselt h-BN kihtide arvust. Sarnaselt grafeenile on v\u00f5imalik boornitriidi aatomkihi paksuseid kilesid valmistada koorimise teel (exfoliation). Boornitriid on tehnoloogia vallas huvipakkuv materjal, sest sellest toodetavad kiled […]<\/p>\n","protected":false},"author":449,"featured_media":26746,"comment_status":"open","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_genesis_hide_title":false,"_genesis_hide_breadcrumbs":false,"_genesis_hide_singular_image":false,"_genesis_hide_footer_widgets":false,"_genesis_custom_body_class":"","_genesis_custom_post_class":"","_genesis_layout":"","footnotes":""},"categories":[16],"tags":[110],"class_list":{"0":"post-26745","1":"post","2":"type-post","3":"status-publish","4":"format-standard","5":"has-post-thumbnail","7":"category-teadusuudis","8":"tag-materjal","9":"entry"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.fyysika.ee\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/26745","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.fyysika.ee\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.fyysika.ee\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.fyysika.ee\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/users\/449"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.fyysika.ee\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fcomments&post=26745"}],"version-history":[{"count":0,"href":"https:\/\/www.fyysika.ee\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/26745\/revisions"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.fyysika.ee\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/media\/26746"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.fyysika.ee\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fmedia&parent=26745"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.fyysika.ee\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fcategories&post=26745"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.fyysika.ee\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Ftags&post=26745"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}