{"id":27327,"date":"2012-05-23T11:00:37","date_gmt":"2012-05-23T08:00:37","guid":{"rendered":"http:\/\/www.fyysika.ee\/uudised\/?p=27327"},"modified":"2012-05-23T11:00:37","modified_gmt":"2012-05-23T08:00:37","slug":"%e2%80%9efaasivahetusega%e2%80%9c-aines-on-rohkem-ruumi-andmetele","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.fyysika.ee\/?p=27327","title":{"rendered":"\u201eFaasivahetusega\u201c aines on rohkem ruumi andmetele"},"content":{"rendered":"<p><strong>Johns Hopkinsi inseneride poolt juhitud teadlaste r\u00fchm avastas tavap\u00e4rase m\u00e4luaine seni teadmatud omadused, sillutades teed uut t\u00fc\u00fcpi m\u00e4luseadmete, filmiketaste ja arvutis\u00fcsteemide arendamisele, mis talletavad andmeid kiiremini, kestavad kauem ning v\u00f5imaldavad oluliselt suuremat mahutavust kui hetkel kasutatavad andmesalvestusvahendid. Teadust\u00f6\u00f6 tulemused avaldati teadusajakirja <em>Proceedings of the National Academy of Sciences<\/em> internetiv\u00e4ljaandes, vahendab <a href=\"http:\/\/phys.org\/news\/2012-05-memory-room-phase-change-material.html\">Phys.org<\/a>.<\/strong><\/p>\n<div id=\"attachment_27328\" style=\"width: 310px\" class=\"wp-caption alignleft\"><a href=\"http:\/\/www.fyysika.ee\/uudised\/wp-content\/uploads\/2012\/05\/thanksforthe.jpg\"><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" aria-describedby=\"caption-attachment-27328\" class=\"size-medium wp-image-27328\" src=\"http:\/\/www.fyysika.ee\/uudised\/wp-content\/uploads\/2012\/05\/thanksforthe-300x268.jpg\" alt=\"\" width=\"300\" height=\"268\" srcset=\"https:\/\/www.fyysika.ee\/wp-content\/uploads\/2012\/05\/thanksforthe-300x268.jpg 300w, https:\/\/www.fyysika.ee\/wp-content\/uploads\/2012\/05\/thanksforthe-250x223.jpg 250w, https:\/\/www.fyysika.ee\/wp-content\/uploads\/2012\/05\/thanksforthe.jpg 400w\" sizes=\"auto, (max-width: 300px) 100vw, 300px\" \/><\/a><p id=\"caption-attachment-27328\" class=\"wp-caption-text\">Illustratsioon teemandi tippude kujust, mida kasutati surve avaldamiseks. Avaldatud surve abil paljastati m\u00e4lukandja GST t\u00e4htsad uued omadused. Sisend esindab amorfse GST aatomstruktuuri. Pilt: Ming Xu\/JHU<\/p><\/div>\n<p>Uurimust\u00f6\u00f6 tegemisel keskenduti odavale faasimuutusega salvesti-sulamile, mis koosneb germaaniumist, antimonist ja telluurist \u2013 l\u00fchendatuna GST. Seda ainet kasutatakse taaskirjutatavates optilistes vahendites, muuhulgas CD-RW ja DVD-RW ketastes. Kasutades teemanditipulisi vahendeid ainetele surve avaldamiseks, paljastas Johns Hopkinsi juhitud meeskond uued elektrilise takistuse omadused, mille t\u00f5ttu v\u00f5ib GST-st saada veelgi kasulikum aine arvuti- ja elektroonikat\u00f6\u00f6stuse tarbeks.<\/p>\n<p>\u201eSee faasisiirdega m\u00e4lu on k\u00e4esolevates m\u00e4luseadmetes kasutatavast ainest stabiilsem. See t\u00f6\u00f6tab 100 korda kiiremini ning seda v\u00f5ib umbes 100\u00a0000 korda \u00fcle kirjutada,\u201c s\u00f5nas uurimust\u00f6\u00f6 juhtiv autor <strong>Ming Xu<\/strong>. \u201eViie aasta jooksul v\u00f5ib GST-d kasutada arvuti k\u00f5vaketaste asendamiseks ja neile m\u00e4lu lisamiseks.\u201c<\/p>\n<p>GST-d kutsutakse faasisiirdega aineks seet\u00f5ttu, et kuumutades v\u00f5ivad m\u00f5ned GST alad muutuda korratu aatomite paigutusega amorfsest olekust kristalliliseks, mille puhul on aatomid joonestatud pikaajalisse korrastusse. Amorfses olekus on GST elektritakistus suurem, kristallilises olekus aga v\u00e4iksem. Kaks faasi peegeldavad ka erinevalt valgust, v\u00f5imaldades DVD pinda lugeda \u00fcliv\u00e4ikese laseriga. Kaks olekut vastavad arvuti keeles \u00fchele ja nullile. Ehkki seda faasisiirdega ainet on kasutatud v\u00e4hemalt kahe aastak\u00fcmne v\u00e4ltel, on \u00fcmberl\u00fclitus \u00fchest faasist teise j\u00e4\u00e4nud m\u00f5istatuseks. Seda seet\u00f5ttu, et faasivahetus toimub v\u00e4ga kiiresti \u2013 nanosekundite jooksul \u2013, kui ainet kuumutada.<\/p>\n<p>M\u00f5istatuse lahendamiseks kasutas Xu oma meeskonnaga muutuse j\u00e4rk-j\u00e4rgulisemaks esilekutsumiseks teistsugust meetodit. Teadlased kasutasid kaht teemanditippu aine survestamiseks. Nad rakendasid vuurimist\u00f6\u00f6 k\u00e4igus\u00a0 r\u00f6ntgendifraktsiooni protsessi ja arvutisimulatsiooni, et j\u00e4\u00e4dvustada aatomitasemel toimuvad aine muutused. Uurijad avastasid, et nad said \u201eh\u00e4\u00e4lestada\u201c aine elektritakistust amorfsest olekust kristallilisse \u00fclemineku aja jooksul.<\/p>\n<p>\u201eSelle asemel, et see l\u00e4heks mustaks valgeks, leidub \u00fcleminekus erinevaid halli varjundeid,\u201c v\u00e4itis artikli kaasautor <strong>En Ma<\/strong>. \u201eOmades laia keelutsooni ulatust, saavutame palju rohkem kontrolli. Mitme oleku abil on v\u00f5imalik talletada palju rohkem andmeid.\u201c<\/p>\n<p><a href=\"http:\/\/phys.org\/news\/2012-05-memory-room-phase-change-material.html\">Allikas<\/a><\/p>\n<p>Teadusartikkel: \u201e<a href=\"http:\/\/www.pnas.org\/content\/109\/18\/E1055\">Pressure tunes electrical resistivity by four orders of magnitude in amorphous alloy<\/a>\u201c<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Johns Hopkinsi inseneride poolt juhitud teadlaste r\u00fchm avastas tavap\u00e4rase m\u00e4luaine seni teadmatud omadused, sillutades teed uut t\u00fc\u00fcpi m\u00e4luseadmete, filmiketaste ja arvutis\u00fcsteemide arendamisele, mis talletavad andmeid kiiremini, kestavad kauem ning v\u00f5imaldavad oluliselt suuremat mahutavust kui hetkel kasutatavad andmesalvestusvahendid. Teadust\u00f6\u00f6 tulemused avaldati teadusajakirja Proceedings of the National Academy of Sciences internetiv\u00e4ljaandes, vahendab Phys.org. Uurimust\u00f6\u00f6 tegemisel keskenduti odavale [&hellip;]<\/p>\n","protected":false},"author":448,"featured_media":27328,"comment_status":"open","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_genesis_hide_title":false,"_genesis_hide_breadcrumbs":false,"_genesis_hide_singular_image":false,"_genesis_hide_footer_widgets":false,"_genesis_custom_body_class":"","_genesis_custom_post_class":"","_genesis_layout":"","footnotes":""},"categories":[31,16],"tags":[147],"class_list":{"0":"post-27327","1":"post","2":"type-post","3":"status-publish","4":"format-standard","5":"has-post-thumbnail","7":"category-rakenduslik-teadus","8":"category-teadusuudis","9":"tag-nanotehnoloogia","10":"entry"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.fyysika.ee\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/27327","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.fyysika.ee\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.fyysika.ee\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.fyysika.ee\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/users\/448"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.fyysika.ee\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fcomments&post=27327"}],"version-history":[{"count":0,"href":"https:\/\/www.fyysika.ee\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/27327\/revisions"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.fyysika.ee\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/media\/27328"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.fyysika.ee\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fmedia&parent=27327"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.fyysika.ee\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fcategories&post=27327"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.fyysika.ee\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Ftags&post=27327"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}