Grafeen on praktiliselt ideaalilähedane kahemõõtmeline juht, mis koosneb ühest lehekesest kuusnurkselt paiknevatest süsiniku aatomitest. Kasutades vesinik passiveerimist on võimalik grafeeni elektrilisi omadusi muuta, tekitades keelutsooni lokaalsete olekutiheduste vahele.
Aatomskaalas grafeen, millele on skaneeriva tunnelmikroskoobi ja vesinik passiveerimise abil kantud ,,muster''
Isoleeriv olek on ümberpööratav tänu vesiniku desorptsioonile, misläbi grafeeni esialgsed elektrilised omadused taastuvad. Sellist mehhanismi kasutades on võimalik kanda grafeenile nanoskaalas ,,mustreid.” 20 nanomeetriste või suuremate alade puhul, kuhu sümbolid on kantud, on grafeeni esialgsed omadused 100-protsendiliselt taastatavad. Alla 20 nanomeetriste alade puhul võib elektriliste omaduste juures täheldada aga dramaatilisi erinevusi.
Sellisel pöörataval ning lokaalselt rakendataval meetodil on oluline tähendus rakendustele nanoskaalas vooluringides, mille tootmiseks on kasutatud grafeeni.
Lisaks:
Artikkel ajakirjas Nano Letters: http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nl902605t