Antud uudis ei räägi küll väikseima olemasoleva transistori loomisest, kuid IBM-i teadlased valmistasid senini väikseima süsinik nanotorudest koosneva transistori. Oma üheksa nanomeetrise läbimõõduga on see väiksem kui ränitransistorite seni arvatud võimalik väikseim füüsiline piir. Lisaks tarbib antud seade vähem energiat ning kannab rohkem laengut kui olemasolev tehnoloogia.
Joonisel on kujutatud läbivelektronmikroskoobi pilt transistori pealt vaatest ja läbilõikest, näidatud on ka transistori kanali pikkus mis on 9nm. Parempoolsel graafikul on kujutatud neeluvoolu sõltuvus paisu ja lätte vahele rakendatud pingest.
Kuigi süsinik nanotorudest valmistatud transistore on juba aastaid ränipõhise tehnoloogiaga võrreldud, on sellekohaseid teoreetilisi uurimusi ning eksperimente vähem kui 10 nanomeetrise läbimõõduga seadmete kohta vähe.
IBM-i teadlased asetasid uue transistori valmistamiseks nanotorud õhukesele isolaatorkihile ning kasutasid kaheastmelist protsessi, et selle sisse kontaktid asetada. Asjal on siiski ka oma konks: puhaste pooljuhist nanotorude suuremas koguses valmistamine on keeruline, nagu seda on ka nende asetamine viisil, mis võimaldab transistoril töödata. Seetõttu läheb enne aega, kui antud tehnoloogia Inteli 3D räniga võistlema saab hakata, kuid see on siiski samm lähemal süsinikupõhiste arvutiteni.
Teadusartikkel: “Sub-10 nm Carbon Nanotube Transistor“