4. mail 2011. aastal teatas Intel, et on teinud läbimurde transistoride arengus. Esimest korda ajaloos, peale SiO2 kasutuselevõttu 50 aastat tagasi asendatakse tööstusliinil tasapinnalise kanaliga transistorid kolmedimensionaalsetega.
Joonis 1. Vasakul 2D planaarne transistor ja paremal 3D „Tri-Gate“ transistor kus pais ümbritseb kolmest küljest vertikaalset kanalit, võimaldades kanali ’’täielikku tühjenemist’’ laengukandjatest ja transistori efektiivsemat ümberlülitamist (http://download.intel.com/newsroom/kits/22nm/pdfs/22nm-Details_Presentation.pdf)
Uut disainitud 3D transistori nimetas Intel „Tri-Gate“ ehk kolme paisuga transistoriks.
Uus 22-nm noodiga Inteli protsessor tuleb müüki nimetuse all „Ivy Bridge“. Vaata ka Inteli videot: http://www.engadget.com/2011/05/04/intel-will-mass-produce-22nm-3d-transistors-for-all-future-cpus/
3 mõõtmeline (3D) „Tri gate“ transistor erineb fundamentaalselt siiani kasutusel olnud kahe mõõtmelisest s.t planaarsest transistorist (Joonis 1).
22 nm 3D“Tri-Gate“ transistor lubab 37% suuremat jõudlust madalatel pingetel, võrreldes 32 nm 2D planaarse transistoriga. See muudab transistori ümberlülitamise vähem energiakulukaks – uus transistor kulutab ainult poole sellest energiast mida kulutab 32 nm mikroprotsessoris olev transistor (Joonis 2).
Inteli 3D „Tri Gate“ suudab madalamatel pingetel töötada väiksemate lekkevooludega, mis tähendab enneolematut energia kokkuhoidu. Signaali ajaline viivis kanalis (Gate Delay) on seejuures väiksem (Joonis 2).
Allikas:
Posted by IntelPR on May 4, 2011 10:05:29 AM
vaata ka: http://newsroom.intel.com/docs/DOC-2032